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SIR512DP-T1-RE3

SIR512DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir512dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details SIR512DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SIR512DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.98 EUR bis 6.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIR512DP-T1-RE3 SIR512DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024174138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1920 Stücke:
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100+2.63 EUR
500+2.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIR512DP-T1-RE3 SIR512DP-T1-RE3 Vishay sir512dp.pdf MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6166 Stücke:
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1+5.93 EUR
10+3.86 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.09 EUR
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SIR512DP-T1-RE3 SIR512DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir512dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
auf Bestellung 5666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.71 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SIR512DP-T1-RE3 SIR512DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024174138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.12 EUR
57+4.08 EUR
100+2.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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SIR512DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
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1000+2.09 EUR
3000+1.98 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
auf Bestellung 5666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.71 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SIR512DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.12 EUR
57+4.08 EUR
100+2.63 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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