SIR516DP-T1-BE3 Vishay / Siliconix
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.85 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| 250+ | 1.76 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| 3000+ | 1.25 EUR |
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Technische Details SIR516DP-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR516DP-T1-BE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIR516DP-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIR516DP-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |