SIR516DP-T1-BE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.25 EUR |
| 105+ | 2.06 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| 5000+ | 1.51 EUR |
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Technische Details SIR516DP-T1-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR516DP-T1-BE3 nach Preis ab 1.5 EUR bis 5.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIR516DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V |
auf Bestellung 5590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR516DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150 |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR516DP-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR516DP-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V
auf Bestellung 5590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.84 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| 3000+ | 1.5 EUR |
| SIR516DP-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET 150
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.94 EUR |
| 10+ | 3.18 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| SIR516DP-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 47+ | 5.43 EUR |
| 72+ | 3.25 EUR |
| 105+ | 2.06 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| 5000+ | 1.51 EUR |