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SIR5211DP-T1-GE3

SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir5211dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 56.8W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

Weitere Produktangebote SIR5211DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIR5211DP-T1-GE3 SIR5211DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sir5211dp.pdf MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.75 EUR
6000+0.73 EUR
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SIR5211DP-T1-GE3 SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir5211dp.pdf Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
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SIR5211DP-T1-GE3 SIR5211DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0021238788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
136+1.71 EUR
205+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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SIR5211DP-T1-GE3 SIR5211DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0021238788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 3720 Stücke:
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100+2.93 EUR
136+1.71 EUR
205+1.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Vishay / Siliconix
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
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Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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SIR5211DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
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SIR5211DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 105A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+2.93 EUR
136+1.71 EUR
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