SIR5607DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 1.72 EUR |
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Technische Details SIR5607DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIR5607DP-T1-RE3 nach Preis ab 2.01 EUR bis 5.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SIR5607DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 2417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR5607DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V |
auf Bestellung 8812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR5607DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 9665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR5607DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR5607DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 90.9A 8-Pin PowerPAK SO EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR5607DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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