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SIR5607DP-T1-RE3

SIR5607DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir5607dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details SIR5607DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Weitere Produktangebote SIR5607DP-T1-RE3 nach Preis ab 2.02 EUR bis 5.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIR5607DP-T1-RE3 SIR5607DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5607dp.pdf Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
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SIR5607DP-T1-RE3 SIR5607DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix sir5607dp.pdf MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
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10+3.59 EUR
100+2.64 EUR
500+2.15 EUR
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SIR5607DP-T1-RE3 SIR5607DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024282162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 8249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIR5607DP-T1-RE3 SIR5607DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024282162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
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SIR5607DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
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Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
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