SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.93 EUR |
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Technische Details SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR5708DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.01 EUR bis 2.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SIR5708DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR5708DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR5708DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 541-545 Tag (e) |
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SIR5708DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V |
auf Bestellung 5968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR5708DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR5708DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR5708DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR5708DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR5708DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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