SIR576DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
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Technische Details SIR576DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 71.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIR576DP-T1-RE3 nach Preis ab 0.87 EUR bis 4.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIR576DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR576DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR576DP-T1-RE3 | Vishay |
MOSFETs SOT669 150V 42.2A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 4372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR576DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
auf Bestellung 7264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR576DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: To Be Advised
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.39 EUR |
| 126+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| SIR576DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 42.2A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 3.77 EUR |
| 98+ | 2.39 EUR |
| 126+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| SIR576DP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay
MOSFETs SOT669 150V 42.2A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT669 150V 42.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4372 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.08 EUR |
| 10+ | 2.64 EUR |
| 100+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| 3000+ | 1.19 EUR |
| SIR576DP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 7264 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4.16 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |