Technische Details SIR582DP-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 92.5W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.
Weitere Produktangebote SIR582DP-T1-BE3 nach Preis ab 1.54 EUR bis 5.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIR582DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V |
auf Bestellung 5934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR582DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR582DP-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92.5W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SIR582DP-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92.5W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR582DP-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V
MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V
auf Bestellung 5934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.93 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.62 EUR |
| 3000+ | 1.54 EUR |
| SIR582DP-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.01 EUR |
| 10+ | 3.24 EUR |
| 100+ | 2.21 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.65 EUR |
| SIR582DP-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIR582DP-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92.5W
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
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