SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
auf Bestellung 2173 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 2.27 EUR |
| 10+ | 1.86 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
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Technische Details SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm.
Weitere Produktangebote SIR606BDP-T1-RE3 nach Preis ab 1.41 EUR bis 3.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 3887 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIR606BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
auf Bestellung 29328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR606BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
auf Bestellung 29328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR606BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR606BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR606BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 38.7A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.7A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR606BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V |
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| SIR606BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 38.7A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.7A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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