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SiR616DP-T1-GE3

SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir616dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SiR616DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.17 EUR bis 3.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIR616DP-T1-GE3 SIR616DP-T1-GE3 VISHAY sir616dp.pdf Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
124+1.87 EUR
149+1.44 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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SIR616DP-T1-GE3 SIR616DP-T1-GE3 VISHAY sir616dp.pdf Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
124+1.87 EUR
149+1.44 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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SiR616DP-T1-GE3 SiR616DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sir616dp.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 10214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.15 EUR
100+1.54 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SiR616DP-T1-GE3 SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir616dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
auf Bestellung 8845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
11+1.95 EUR
100+1.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SIR616DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1900 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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SIR616DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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2+3.19 EUR
10+2.15 EUR
100+1.54 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.2 EUR
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Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
auf Bestellung 8845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.37 EUR
11+1.95 EUR
100+1.44 EUR
500+1.23 EUR
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