SiR624DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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| Anzahl | Preis |
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| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
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Technische Details SiR624DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SiR624DP-T1-GE3
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Preis |
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SIR624DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIR624DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
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SIR624DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR624DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SiR624DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIR624DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SiR624DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V |
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SiR624DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V |
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