SiR624DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.08 EUR |
| 11+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
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Technische Details SiR624DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Weitere Produktangebote SiR624DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.9 EUR bis 3.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SiR624DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 17442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR624DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 17283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SIR624DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 17283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SiR624DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 17442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.36 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 3000+ | 0.9 EUR |
| SIR624DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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| SIR624DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: ThunderFET
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: ThunderFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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