Produkte > Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 > SiR626DP-T1-RE3

SiR626DP-T1-RE3

sir626dp.pdf
Produktcode: 197577
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote SiR626DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.14 EUR bis 4.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 Vishay sir626dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.44 EUR
6000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 Vishay sir626dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.44 EUR
6000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3 SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.5 EUR
6000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 Vishay sir626dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.97 EUR
100+1.69 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 Vishay sir626dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.14 EUR
77+1.81 EUR
78+1.73 EUR
100+1.43 EUR
250+1.36 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 Vishay sir626dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.14 EUR
77+1.85 EUR
78+1.8 EUR
100+1.51 EUR
250+1.47 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.34 EUR
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3 SiR626DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors sir626dp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.19 EUR
100+2.25 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.78 EUR
3000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3 SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
auf Bestellung 10708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.95 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007341514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 17943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007341514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 17943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.44 EUR
6000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.44 EUR
6000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SiR626DP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.5 EUR
6000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+1.97 EUR
100+1.69 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+2.14 EUR
77+1.81 EUR
78+1.73 EUR
100+1.43 EUR
250+1.36 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+2.14 EUR
77+1.85 EUR
78+1.8 EUR
100+1.51 EUR
250+1.47 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.34 EUR
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SiR626DP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.82 EUR
10+3.19 EUR
100+2.25 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.78 EUR
3000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SiR626DP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
auf Bestellung 10708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.95 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 VISH-S-A0007341514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR626DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 17943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3 VISH-S-A0007341514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR626DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 17943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH