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SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir638adp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Technische Details SIR638ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sir638adp.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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1000+1.34 EUR
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SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir638adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
auf Bestellung 15766 Stücke:
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Anzahl Preis
5+3.57 EUR
10+2.57 EUR
100+1.81 EUR
500+1.45 EUR
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SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0017726420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: To Be Advised
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SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0017726420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIR638ADP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir638adp.pdf N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
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SIR638ADP-T1-RE3 транзистор
Produktcode: 197167
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