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SIR681DP-T1-RE3

SIR681DP-T1-RE3 Vishay Siliconix


sir681dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
auf Bestellung 9000 Stücke:

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Technische Details SIR681DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0093 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir681dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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48+2.98 EUR
49+2.86 EUR
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250+1.86 EUR
500+1.29 EUR
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SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir681dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
auf Bestellung 9579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.09 EUR
10+3.31 EUR
100+2.30 EUR
500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir681dp.pdf Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0093 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 24913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir681dp.pdf Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0093 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 24913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir681dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir681dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR681DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir681dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -71.9A; 104W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -71.9A
Pulsed drain current: -125A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sir681dp.pdf MOSFETs POWRPK P CHAN 80V
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SIR681DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir681dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -71.9A; 104W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -71.9A
Pulsed drain current: -125A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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