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SiR690DP-T1-GE3

SiR690DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir690dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Technische Details SiR690DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SiR690DP-T1-GE3 nach Preis ab 1 EUR bis 4.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIR690DP-T1-GE3 SIR690DP-T1-GE3 Vishay doc76415.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SIR690DP-T1-GE3 SIR690DP-T1-GE3 Vishay doc76415.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
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SIR690DP-T1-GE3 SIR690DP-T1-GE3 VISHAY sir690dp.pdf Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
115+1.87 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIR690DP-T1-GE3 SIR690DP-T1-GE3 Vishay doc76415.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
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64+2.75 EUR
78+2.18 EUR
79+2.07 EUR
100+1.57 EUR
250+1.43 EUR
500+1.17 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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SIR690DP-T1-GE3 SIR690DP-T1-GE3 VISHAY sir690dp.pdf Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
95+2.46 EUR
115+1.87 EUR
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1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
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5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
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auf Bestellung 6000 Stücke:
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.62 EUR
95+2.46 EUR
115+1.87 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.73 EUR
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Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
auf Bestellung 12678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.45 EUR
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