SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.85 EUR |
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Technische Details SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR698DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.162 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SIR698DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.85 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SIR698DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V |
auf Bestellung 9715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR698DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 5435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR698DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR698DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.162 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR698DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR698DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR698DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR698DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIR698DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |