SIR826BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.03 EUR |
| 6000+ | 1.01 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIR826BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR826BDP-T1-RE3 nach Preis ab 1.1 EUR bis 3.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 25022 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V |
auf Bestellung 20655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 19.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 80.8A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 80.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 69nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
| SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 80.8A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 80.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 69nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |