SIR826BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V
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| Anzahl | Preis |
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| 6000+ | 1.01 EUR |
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Technische Details SIR826BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 0.00435 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 80.8, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00435, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIR826BDP-T1-RE3 nach Preis ab 1.10 EUR bis 3.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
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SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V |
auf Bestellung 20655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 0.00435 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 80.8 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 83 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00435 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 0.00435 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung: 83 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 4927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 19.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR826BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
SIR826BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
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