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SIR826LDP-T1-RE3

SIR826LDP-T1-RE3 Vishay / Siliconix

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 80V N-CHANNEL (D-S)
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Technische Details SIR826LDP-T1-RE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 86, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00415, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 3164661.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 86
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00415
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 3164661.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
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SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 86A; Idm: 200A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
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SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 86A; Idm: 200A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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