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SIR826LDP-T1-RE3

SIR826LDP-T1-RE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 80V N-CHANNEL (D-S)
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Technische Details SIR826LDP-T1-RE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 3164661.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 18914 Stücke:
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SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 3164661.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.55 EUR
10+2.08 EUR
100+1.62 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir826ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 21.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY SIR826LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR826LDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
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