SIR870ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
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| 1+ | 3.84 EUR |
| 10+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |
| 3000+ | 1.45 EUR |
| 6000+ | 1.44 EUR |
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Technische Details SIR870ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIR870ADP-T1-RE3 nach Preis ab 1.69 EUR bis 3.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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SIR870ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V |
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SIR870ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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SIR870ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR870ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR870ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR870ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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