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Technische Details SIR870BDP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIR870BDP-T1-RE3 nach Preis ab 1.08 EUR bis 2.76 EUR
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V |
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 100 V |
auf Bestellung 2843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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| SIR870BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 81A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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