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SIR870BDP-T1-RE3

SIR870BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir870bdp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details SIR870BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay id-7630025-sir870bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay id-7630025-sir870bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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60+2.43 EUR
100+1.88 EUR
250+1.73 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sir870bdp.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100 V
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1+3.59 EUR
10+2.57 EUR
100+1.99 EUR
250+1.87 EUR
500+1.72 EUR
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir870bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
auf Bestellung 6053 Stücke:
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Anzahl Preis
5+3.78 EUR
10+2.74 EUR
100+2.12 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir870bdp.pdf Description: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir870bdp.pdf Description: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir870bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay id-7630025-sir870bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR870BDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir870bdp.pdf SIR870BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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