Produkte > VISHAY > SIR873DP-T1-GE3
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3 Vishay

sir873dp.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIR873DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 37 A, 0.0475 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm.

Weitere Produktangebote SIR873DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.2 EUR bis 6.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir873dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 76600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.32 EUR
9000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay sir873dp.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 VISHAY sir873dp.pdf Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 8524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
70+3.32 EUR
77+2.78 EUR
100+2.46 EUR
250+2.3 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir873dp.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 9379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.89 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir873dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
auf Bestellung 77541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.61 EUR
10+2.96 EUR
50+2.25 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 VISHAY sir873dp.pdf Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 37 A, 0.0475 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
auf Bestellung 7199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.54 EUR
61+3.86 EUR
100+2.51 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.86 EUR
5000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 76600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.32 EUR
9000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 8524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.27 EUR
70+3.32 EUR
77+2.78 EUR
100+2.46 EUR
250+2.3 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 9379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.55 EUR
10+2.89 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
auf Bestellung 77541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.61 EUR
10+2.96 EUR
50+2.25 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 37 A, 0.0475 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
auf Bestellung 7199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.54 EUR
61+3.86 EUR
100+2.51 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.86 EUR
5000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH