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Technische Details SIR873DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0395ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Weitere Produktangebote SIR873DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.10 EUR bis 3.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SIR873DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V |
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SIR873DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR873DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 18407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR873DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V |
auf Bestellung 12890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR873DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0395ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR873DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR873DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR873DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR873DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIR873DP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |