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SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sir876adp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:

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Technische Details SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR876ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sir876adp-1764590.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 14972 Stücke:
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10+2.5 EUR
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SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir876adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
auf Bestellung 7490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.94 EUR
10+2.65 EUR
100+2.13 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir876adp.pdf Description: VISHAY - SIR876ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir876adp.pdf Description: VISHAY - SIR876ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 549 Stücke:
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SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sir876adp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sir876adp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SIR876ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir876adp.pdf SIR876ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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