Produkte > VISHAY SILICONIX > SIR880BDP-T1-RE3
SIR880BDP-T1-RE3

SIR880BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix


sir880bdp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIR880BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 70.6, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 71.4, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote SIR880BDP-T1-RE3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 2.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sir880bdp.pdf MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S)
auf Bestellung 6728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.06 EUR
10+ 1.69 EUR
100+ 1.31 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 0.9 EUR
3000+ 0.87 EUR
6000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir880bdp.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V
auf Bestellung 6133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+2.08 EUR
11+ 1.69 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 3213182.pdf Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 70.6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 3213182.pdf Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 70.6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)