SIR880BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.83 EUR |
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Technische Details SIR880BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 71.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIR880BDP-T1-RE3 nach Preis ab 0.80 EUR bis 3.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SIR880BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK N CHAN 80V |
auf Bestellung 4420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR880BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 70.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 40 V |
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SIR880BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR880BDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0053 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR880BDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |