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Technische Details SIRA01DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIRA01DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.57 EUR
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SIRA01DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIRA01DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V |
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SIRA01DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 16406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA01DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA01DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA01DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIRA01DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIRA01DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIRA01DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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| SIRA01DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -150A Drain-source voltage: -30V Drain current: -20.8A Gate-source voltage: -20...16V Gate charge: 112nC On-state resistance: 8.2mΩ Power dissipation: 40W |
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