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SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3 Vishay

sira01dp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SIRA01DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sira01dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sira01dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
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SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sira01dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
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SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sira01dp.pdf MOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
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2+2.52 EUR
10+1.74 EUR
100+1.25 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.91 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira01dp.pdf Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira01dp.pdf Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sira01dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sira01dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sira01dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira01dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -150A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIRA01DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira01dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -150A
Mounting: SMD
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