Produkte > VISHAY SILICONIX > SIRA10DP-T1-GE3
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sira10dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote SIRA10DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.48 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc63820.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
190+0.78 EUR
191+0.75 EUR
192+0.72 EUR
221+0.60 EUR
252+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc63820.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
188+0.79 EUR
190+0.75 EUR
191+0.72 EUR
192+0.69 EUR
221+0.58 EUR
252+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 140A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 51nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
81+0.89 EUR
92+0.78 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 140A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 51nC
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
81+0.89 EUR
92+0.78 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sira10dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 10145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.21 EUR
10+1.20 EUR
100+0.87 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.70 EUR
3000+0.65 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sira10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
auf Bestellung 4291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.48 EUR
15+1.18 EUR
100+0.92 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Produktcode: 199341
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc63820.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc63820.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sira10dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH