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SIRA12BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 9084113-3
Price: 1230.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

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Technische Details SIRA12BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIRA12BDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.55 EUR bis 1.83 EUR

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SIRA12BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

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SIRA12BDP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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SIRA12BDP-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0018358590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SIRA12BDP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SIRA12BDP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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SIRA12BDP-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SIRA12BDP-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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