SIRA12DDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.26 EUR |
| 10+ | 0.77 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details SIRA12DDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 38W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.
Weitere Produktangebote SIRA12DDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SIRA12DDP-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 4877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA12DDP-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 38W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SIRA12DDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 38W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIRA12DDP-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay
MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 1.31 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.53 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 3000+ | 0.31 EUR |
| 6000+ | 0.26 EUR |
| SIRA12DDP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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| SIRA12DDP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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