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SIRA12DDP-T1-GE3

SIRA12DDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
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Technische Details SIRA12DDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 38W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIRA12DDP-T1-GE3 SIRA12DDP-T1-GE3 Vishay MOSFETs 30V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK SO-8
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SIRA12DDP-T1-GE3 SIRA12DDP-T1-GE3 VISHAY 4018426.pdf Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
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159+1.46 EUR
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Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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