SIRA12DDP-T1-UE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Technische Details SIRA12DDP-T1-UE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIRA12DDP-T1-UE3 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.32 EUR
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SIRA12DDP-T1-UE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA12DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 81 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIRA12DDP-T1-UE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 2688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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