SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 3000+ | 0.9 EUR |
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Technische Details SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Weitere Produktangebote SIRA12DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIRA12DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIRA12DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |