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| 891+ | 0.2 EUR |
| 946+ | 0.18 EUR |
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Technische Details SIRA12DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Weitere Produktangebote SIRA12DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.11 EUR bis 2.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA12DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV |
auf Bestellung 16421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIRA12DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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|---|---|
| 320+ | 0.55 EUR |
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| 946+ | 0.17 EUR |
| 1008+ | 0.15 EUR |
| 1079+ | 0.13 EUR |
| 1161+ | 0.12 EUR |
| 1255+ | 0.11 EUR |
| SIRA12DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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| SIRA12DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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| SIRA12DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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| SIRA12DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 228+ | 1.02 EUR |
| 319+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| SIRA12DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
MOSFETs 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
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| 10+ | 1.52 EUR |
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| 1000+ | 0.71 EUR |
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| 24000+ | 0.57 EUR |
| SIRA12DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
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