SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 1.32 EUR |
| 10+ | 0.94 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 3000+ | 0.42 EUR |
| 6000+ | 0.38 EUR |
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Technische Details SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIRA14DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIRA14DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SIRA14DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2638 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA14DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA14DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 31.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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| SIRA14DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1904 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIRA14DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 19.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIRA14DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIRA14DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V |
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