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Technische Details SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 335A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIRA20BDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.15 EUR
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SIRA20BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIRA20BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V |
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SIRA20BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V |
auf Bestellung 10920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA20BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 82A |
auf Bestellung 3022 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA20BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 335A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA20BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 335A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA20BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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| SIRA20BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 268A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 268A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 67W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -12...16V On-state resistance: 820µΩ Mounting: SMD Gate charge: 186nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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