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SIRA20BDP-T1-GE3

SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay

sira20bdp.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 335A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay sira20bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira20bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 VISHAY 3171396.pdf Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira20bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sira20bdp.pdf MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 82A
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SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 VISHAY 3171396.pdf Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Trans MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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107+2.01 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 82A
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10+2.51 EUR
100+1.71 EUR
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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