SIRA20DDP-T1-UE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
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Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3 EUR |
| 115+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| 5000+ | 1.31 EUR |
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Technische Details SIRA20DDP-T1-UE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 337A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIRA20DDP-T1-UE3 nach Preis ab 1.31 EUR bis 5.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIRA20DDP-T1-UE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 337A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIRA20DDP-T1-UE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 50+ | 5.05 EUR |
| 78+ | 3 EUR |
| 115+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| 5000+ | 1.31 EUR |