SIRA20DDP-T1-UE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.2 EUR |
| 107+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| 5000+ | 1.37 EUR |
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Technische Details SIRA20DDP-T1-UE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 337A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm.
Weitere Produktangebote SIRA20DDP-T1-UE3 nach Preis ab 1.37 EUR bis 5.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIRA20DDP-T1-UE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 337A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIRA20DDP-T1-UE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 47+ | 5.38 EUR |
| 73+ | 3.2 EUR |
| 107+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| 5000+ | 1.37 EUR |