| Anzahl | Preis |
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| 410+ | 0.35 EUR |
| 411+ | 0.34 EUR |
| 413+ | 0.33 EUR |
| 414+ | 0.31 EUR |
| 416+ | 0.3 EUR |
| 417+ | 0.28 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
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Technische Details SIRA26DP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIRA26DP-T1-RE3 nach Preis ab 0.27 EUR bis 2.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SIRA26DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA26DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA26DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 6742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA26DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA26DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA26DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
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