| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 410+ | 0.43 EUR |
| 411+ | 0.42 EUR |
| 413+ | 0.39 EUR |
| 414+ | 0.38 EUR |
| 416+ | 0.37 EUR |
| 417+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIRA26DP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 43.1W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm.
Weitere Produktangebote SIRA26DP-T1-RE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRA26DP-T1-RE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA26DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA26DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 6742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA26DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 43.1W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm |
auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRA26DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 43.1W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm |
auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SIRA26DP-T1-RE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 413+ | 0.43 EUR |
| 414+ | 0.42 EUR |
| 416+ | 0.4 EUR |
| 417+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.37 EUR |
| SIRA26DP-T1-RE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.57 EUR |
| 16+ | 1.38 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| SIRA26DP-T1-RE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.49 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| 3000+ | 0.65 EUR |
| 6000+ | 0.63 EUR |
| SIRA26DP-T1-RE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 43.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 43.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
auf Bestellung 6010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.98 EUR |
| 140+ | 1.67 EUR |
| 211+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 5000+ | 0.61 EUR |
| SIRA26DP-T1-RE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 43.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 43.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
auf Bestellung 6010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.98 EUR |
| 140+ | 1.67 EUR |
| 211+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 5000+ | 0.61 EUR |