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SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors

sira32dp.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
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Technische Details SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011831058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix sira32dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
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SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011831058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix sira32dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
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