SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
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| 2+ | 1.95 EUR |
| 10+ | 1.32 EUR |
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| 1000+ | 0.73 EUR |
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Technische Details SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIRA32DP-T1-RE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIRA32DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIRA32DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA32DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA32DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 185A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIRA32DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIRA32DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 148A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 148A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 42W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -12...16V On-state resistance: 1.83mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |