SIRA52DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.34 EUR |
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Technische Details SIRA52DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 30.7W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 2.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 150nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SIRA52DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.2 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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SIRA52DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
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SIRA52DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIRA52DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 30.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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