SIRA54ADP-T1-RE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 128A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.03 EUR |
| 109+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| 5000+ | 1.26 EUR |
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Technische Details SIRA54ADP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 65.7W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.
Weitere Produktangebote SIRA54ADP-T1-RE3 nach Preis ab 1.26 EUR bis 5.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIRA54ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA54ADP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 36.2A |
auf Bestellung 12788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA54ADP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 65.7W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
auf Bestellung 5478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIRA54ADP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4.08 EUR |
| 10+ | 3.68 EUR |
| SIRA54ADP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 36.2A
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 36.2A
auf Bestellung 12788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.4 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 1.93 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
| 3000+ | 1.31 EUR |
| SIRA54ADP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 5478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 48+ | 5.25 EUR |
| 77+ | 3.03 EUR |
| 109+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| 5000+ | 1.26 EUR |