SIRA54DP-T1-GE3 Vishay
Hersteller: VishaySIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
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| 309+ | 0.47 EUR |
| 314+ | 0.45 EUR |
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Technische Details SIRA54DP-T1-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 23.5W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 3.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 104nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SIRA54DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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SIRA54DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
SIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com |
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SIRA54DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
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SIRA54DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SIRA54DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
SIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com |
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| SIRA54DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 23.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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