SIRA64DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.2 EUR |
| 10+ | 1.38 EUR |
| 100+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 3000+ | 0.62 EUR |
| 6000+ | 0.61 EUR |
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Technische Details SIRA64DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SIRA64DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIRA64DP-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIRA64DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIRA64DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIRA64DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 50 Stücke:
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