| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 0.79 EUR |
| 226+ | 0.77 EUR |
| 350+ | 0.49 EUR |
| 353+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
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Technische Details SIRA84BDP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 36W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.
Weitere Produktangebote SIRA84BDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.19 EUR bis 2.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 22A |
auf Bestellung 2346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA84BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 36W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 36W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm |
auf Bestellung 2726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA84BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 36W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm |
auf Bestellung 2726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIRA84BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.27 EUR |
| 222+ | 0.76 EUR |
| 224+ | 0.73 EUR |
| 226+ | 0.7 EUR |
| 350+ | 0.43 EUR |
| 353+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| SIRA84BDP-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 22A
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 22A
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.4 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |
| 6000+ | 0.3 EUR |
| SIRA84BDP-T1-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 120+ | 2.09 EUR |
| 203+ | 1.15 EUR |
| 236+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1500+ | 0.58 EUR |
| SIRA84BDP-T1-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 120+ | 2.09 EUR |
| 203+ | 1.15 EUR |
| 236+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1500+ | 0.58 EUR |