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SIRA84BDP-T1-GE3

SIRA84BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

sira84bdp-1766684.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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Technische Details SIRA84BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIRA84BDP-T1-GE3 SIRA84BDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
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SIRA84BDP-T1-GE3 SIRA84BDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
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SVHC: To Be Advised
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SIRA84BDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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