| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 224+ | 0.65 EUR |
| 226+ | 0.62 EUR |
| 350+ | 0.38 EUR |
| 353+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details SIRA84BDP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIRA84BDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.16 EUR bis 1.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 22A |
auf Bestellung 2346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA84BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 36W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |