SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 57.8A, Pulsed drain current: 130A, Power dissipation: 22.2W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 7.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 38nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SIRA84DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SIRA84DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
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SIRA84DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
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SIRA84DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIRA84DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 57.8A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 22.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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