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SIRC10DP-T1-GE3

SIRC10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sirc10dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
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Technische Details SIRC10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIRC10DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sirc10dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sirc10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
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8+2.32 EUR
12+1.47 EUR
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500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sirc10dp.pdf Description: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIRC10DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sirc10dp.pdf SIRC10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sirc10dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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