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SiRS4301DP-T1-GE3

SiRS4301DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sirs4301dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:

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Technische Details SiRS4301DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 227A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SiRS4301DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.58 EUR bis 7.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SiRS4301DP-T1-GE3 SiRS4301DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sirs4301dp.pdf Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
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SiRS4301DP-T1-GE3 SiRS4301DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sirs4301dp.pdf MOSFETs P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V
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SIRS4301DP-T1-GE3 SIRS4301DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3959215.pdf Description: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
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SIRS4301DP-T1-GE3 SIRS4301DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3959215.pdf Description: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
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