SiRS4401DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.8A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 588 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21850 pF @ 20 V
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 2.25 EUR |
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Technische Details SiRS4401DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SiRS4401DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.6 EUR bis 6.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SiRS4401DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.8A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 588 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21850 pF @ 20 V |
auf Bestellung 7885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiRS4401DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V |
auf Bestellung 2593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRS4401DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRS4401DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SiRS4401DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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verfügbar 18 Stücke: |
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| SIRS4401DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 198A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |