SIRS578DPW-T1-RE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 2.7 EUR |
| 1000+ | 2.57 EUR |
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Technische Details SIRS578DPW-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 171W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-SW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm.
Weitere Produktangebote SIRS578DPW-T1-RE3 nach Preis ab 2.57 EUR bis 7.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIRS578DPW-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 171W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-SW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm |
auf Bestellung 6016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIRS578DPW-T1-RE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
Description: VISHAY - SIRS578DPW-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 93 A, 8600 µohm, PowerPAK SO-SW, Oberflächenmontage
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| 34+ | 7.54 EUR |
| 51+ | 4.57 EUR |
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