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Technische Details SIRS700DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 132W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIRS700DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.89 EUR bis 8.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIRS700DP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRS700DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 132W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRS700DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 5541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIRS700DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRS700DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIRS700DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 3.84 EUR |
| 50+ | 3.39 EUR |
| SIRS700DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.24 EUR |
| 500+ | 3.9 EUR |
| 1000+ | 3.8 EUR |
| SIRS700DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.53 EUR |
| 10+ | 4.84 EUR |
| 100+ | 3.71 EUR |
| 500+ | 3.42 EUR |
| 1000+ | 3.31 EUR |
| 3000+ | 2.95 EUR |
| 6000+ | 2.89 EUR |
| SIRS700DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.72 EUR |
| 39+ | 5.99 EUR |
| 100+ | 4.24 EUR |
| 500+ | 3.9 EUR |
| 1000+ | 3.8 EUR |
| SIRS700DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.77 EUR |
| 10+ | 5.78 EUR |
| 100+ | 4.09 EUR |
| 500+ | 3.37 EUR |
| 1000+ | 3.13 EUR |