SIS108DN-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 101+ | 2.49 EUR |
| 150+ | 1.56 EUR |
| 195+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 5000+ | 0.63 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIS108DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 24W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIS108DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.77 EUR bis 3.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS108DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 23662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS108DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 24W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
auf Bestellung 15091 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SIS108DN-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 23662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.09 EUR |
| 10+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 3000+ | 0.83 EUR |
| 9000+ | 0.8 EUR |
| SIS108DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 15091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 68+ | 3.7 EUR |
| 107+ | 2.18 EUR |
| 160+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| 5000+ | 0.77 EUR |