Produkte > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIS108DN-T1-GE3
SIS108DN-T1-GE3

SIS108DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 24754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.83 EUR
10+1.23 EUR
100+0.86 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.59 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIS108DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 24W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIS108DN-T1-GE3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIS108DN-T1-GE3 SIS108DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 15211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS108DN-T1-GE3 SIS108DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 15211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS108DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH