SIS108DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SIS108DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SIS108DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
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| SIS108DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY | SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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