SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.35 EUR |
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| 9000+ | 0.33 EUR |
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Technische Details SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIS110DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.37 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SIS110DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V |
auf Bestellung 19507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS110DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 119011 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS110DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 27193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS110DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 24W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 28085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS110DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIS110DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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