SIS126DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SIS126DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIS126DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.61 EUR bis 1.92 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SIS126DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V |
auf Bestellung 5169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS126DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWER P AKNC HAN80V |
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SIS126DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS126DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS126DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIS126DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.1A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 36.1A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 33.3W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SIS126DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.1A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 36.1A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 33.3W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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