SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.55 EUR |
| 6000+ | 0.51 EUR |
| 9000+ | 0.49 EUR |
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Technische Details SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIS407ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SIS407ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 |
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SIS407ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V |
auf Bestellung 14026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS407ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 39.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS407ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS407ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIS407ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIS407ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |