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SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis407adn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.65 EUR
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Technische Details SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 9000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 39.1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Weitere Produktangebote SIS407ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIS407ADN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 VISHAY 2148604.pdf Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39.1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS407ADN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis407adn.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 3776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.19 EUR
100+0.88 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIS407ADN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis407adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SIS407ADN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000785634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 9000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 39.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 6329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+2.65 EUR
169+1.38 EUR
227+0.94 EUR
500+0.8 EUR
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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SIS407ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39.1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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AnzahlPrivatkunde
2+2.05 EUR
10+1.19 EUR
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SIS407ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
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500+0.82 EUR
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SIS407ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 9000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 39.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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AnzahlPrivatkunde
95+2.65 EUR
169+1.38 EUR
227+0.94 EUR
500+0.8 EUR
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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