SIS410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 1.02 EUR |
| 6000+ | 0.97 EUR |
| 9000+ | 0.92 EUR |
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Technische Details SIS410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm.
Weitere Produktangebote SIS410DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.08 EUR bis 2.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIS410DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS410DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS410DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V |
auf Bestellung 27884 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIS410DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 34777 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIS410DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm |
auf Bestellung 2701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS410DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIS410DN-T1-GE3 |
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auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIS410DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIS410DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 35A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIS410DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 35A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W |
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