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SIS413DN-T1-GE3

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Produktcode: 151913
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Vishay sis413dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Vishay sis413dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis413dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Vishay sis413dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.74 EUR
250+0.59 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 195
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.2 EUR
87+0.82 EUR
133+0.54 EUR
158+0.45 EUR
250+0.37 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis413dn.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 10183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis413dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
auf Bestellung 14345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.9 EUR
15+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001113287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 9400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001113287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 9400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
195+0.74 EUR
250+0.59 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 195
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SIS413DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
87+0.82 EUR
133+0.54 EUR
158+0.45 EUR
250+0.37 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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SIS413DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 10183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.9 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SIS413DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
auf Bestellung 14345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.9 EUR
15+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS413DN-T1-GE3 VISH-S-A0001113287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS413DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 9400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS413DN-T1-GE3 VISH-S-A0001113287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS413DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 9400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH