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SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3 Vishay

sis413dn.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Technische Details SIS413DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis413dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis413dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sis413dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis413dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sis413dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
102+0.7 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sis413dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
102+0.7 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sis413dn.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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Anzahl Preis
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10+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sis413dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sis413dn.pdf Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001113287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6236 Stücke:
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SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis413dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SIS413DN-T1-GE3
Produktcode: 151913
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